IBM und TDK sind gemeinsam dabei, eine neue Speicherart namens STT-RAM zu entwickeln, die die Leistungsfähigkeit von Festplatten entscheidend steigern kann.
Der neue Magnetspeicher Spin Torque Transfer Random Access Memory (STT-RAM) soll eine kompaktere Speicherzelle als bisher ermöglichen. IBM und die japanischen Speicherspezialisten von TDK treiben die Entwicklung in verschiedenen amerikanischen Laboren voran. Der neue Magnetspeicher soll weniger Energie verbrauchen und Daten vorhalten, selbst wenn der Strom ausfällt.