Mega-Speicher für Smartphones

Die Universität von Kalifornien forscht an neuen Speichertechnologien, mit denen selbst Smartphones locker mehrere Terabyte Daten fassen können.

Forschern des Bourns College of Engineering der Universität von Kalifornien in Riverside ist ein Durchbruch in der so genannten resistiven Speichertechnologie gelungen, wie sie in der Zeitschrift Nature belegen. Sie konnten eine selbstorganisierte Zinkoxid-Nano-Insel auf einem Siliziumträger anbringen, die drei verschiedene Betriebsarten beherrscht. Im Gegensatz zu herkömmlichen resistiven Speichern entfällt damit die Notwendigkeit für eine Auswahlvorrichtung (Selector Device), die meist von Dioden erfüllt wird. Laut den Forschern ließen sich damit resistive Speicherelemte mit Strukturbreiten von weniger als 10 Nanometern herstellen, also weniger als halb so viel wie aktuelle Flash-Bausteine. Speichergrößen von mehreren Terabyte auf der Fläche heutiger Smartphone-Speicher wären damit problemlos zu realisieren. Dabei hat der resistive Speicher zwei weitere erhebliche Vorteile gegenüber den aktuellen Flash-Modulen: er ist günstiger und schneller.

»Dies ist ein bedeutender Schritt, da die Elektronikindustrie resistive Speicher in großem Maßstab als Alternative zu Flash-Speicher einführen möchte«, freut sich Liu Jianlin, Professor für Elektrotechnik an der UC Riverside und einer der Autoren der Studie. »Es vereinfacht wirklich den Herstellungsprozess und senkt damit die Kosten«.