Im Wettrennen um immer schnellere Prozessoren und immer kleinere Transistoren soll die nächste Chipgeneration in 45-Nanometer-Technologie gefertigt werden. Nach mehr als zehn Jahren Forschung ist es nun sowohl Intel als auch IBM gelungen, die Isolationsschicht in den Transistoren zu verbessern. Intel verwendet ein Hafnium- Gemisch, um künftig noch mehr Transistoren auf einen Chip packen zu können, IBM hüllt sich bezüglich des verwendeten Stoffes derzeit noch in Schweigen. Im zweiten Halbjahr 2007 soll beim Branchenprimus die Produktion der ersten 45-Nanometer-Chips beginnen. Die Prozessoren sollen neben Windows auch Linux und Mac OS X als Betriebssystem unterstützen.

Wenn im Zuge der Miniaturisierung von Transistoren Strukturen die Größe weniger Atome erreichen, werden Leistungsaufnahme und Wärmeentwicklung zu einem ernsthaften Problem. Seit über 40 Jahren wurde bei der Fertigung des Gate-Dielektrikums von Transistoren Siliziumdioxid verwendet. Um bei der ständigen Leistungssteigerung bei Transistoren mitzuhalten, verringerte man seine Schichtstärke immer weiter. Bei der bisherigen 65-Nanometer-Prozesstechnik ist das Gate-Dielektrikum aus Siliziumdioxid nur 1,2 Nanometer stark, was etwa fünf Atomlagen entspricht. Allerdings nehmen bei dieser geringen Stärke die elektrischen Leckströme durch das Gate-Dielektrikum zu, was zu unnötigem Stromverbrauch und unerwünschter Wärmeentwicklung führt. Bei Intel kommt deshalb bei der 45-Nanometer- Prozesstechnologie ein dickeres, auf Hafnium basierendes high-k-Material im Gate-Dielektrikum zum Einsatz.

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