Revolutionäre Speicherdichte
Hynix DDR4-Speichermodul mit 128 GByte
SK Hynix hat einen weiteren Schritt bei DRAM-Speicherdichte gemacht. Der Hersteller kündigte ein DDR4-Modul mit 128 GByte an.
SK Hynix hat die Entwicklung eines DDR4-Speichermoduls mit 128 GByte bekanntgegeben. Dieses basiert auf acht Gigabit-Chips und der 20 Nanometer-Technologie. Durch eine höhere Speicherdichte verdoppelt das Modul die Kapazität von den bisher möglichen 64 GByte. Mit DDR3-Modulen sind hingegen nur 32 GByte möglich. Zum Tragen kommt dabei die TSV (Through Silicon Via)-Technologie, mit der Chips auch übereinander angebracht werden können.
Weiterhin benötigt der DDR4-Speicher lediglich 1,2 Volt und setzt sich damit in noch einer Kategorie vor die DDR3-Module mit 1,35 Volt. Laut Hersteller schafft es der DDR4-2.133 auf einen Datendurchsatzrate von 17 GByte pro Sekunde. »Die Entwicklung des weltweit ersten 128 GByte DDR4-Moduls eröffnet den Ultrahigh Density Server-Markt«, sagt SK Hynix Senior Vice President Sung Joo Hong. »Das Unternehmen wird weiter seine Wettbewerbsfähigkeit durch im Premium DRAM-Segment mit der Entwicklung von Produkten mit hohen Kapazitäten und Geschwindigkeiten, sowie niedrigem Energieverbrauch stärken.«
