Intel Ivy Bridge
Intel rüstet mit 22-Nanometer-3D-Transistoren auf
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Schneller und sparsamer
Bei der Präsentation konnte Mark Bohr, Halbleiter-Herstellungsleiter bei Intel, stolz vermelden, dass die Leckströme bei den 22-Nanometer-Tri-Gate-Transistoren gegenüber den 32-Nanometer-Planar-Transistoren um 50 Prozent reduziert werden konnten, was die Leistungsaufnahme der aus diesen Transistoren aufgebauten Prozessoren drastisch verringert. Zudem erhöht Tri-Gate laut Mark Bohr durch höhere Ströme die Schaltgeschwindigkeit bei niedriger Spannung um 37 Prozent gegenüber den bisherigem 32-Nanometer-Transistoren, was gerade bei sparsamen CPUs eine dramatische Leistungsverbesserung bringen soll.
Daher wäre Ivy Bridge auch bei einem reinen Die-Schrink schon schneller als Sandy Bridge. Es ist aber zu erwarten, dass Intel die durch die kleineren Transistoren gewonnene Die-Fläche auch für zusätzliche Schaltungen nutzen wird, etwa für größere Caches oder eine leistungsfähigere Grafikeinheit. Die Atom-Prozessoren werden laut Intel erst zu einemspäteren Zeitpunkt in dem neuen 22-Nanometer-Prozess hergestellt.
Zum Herstellungsprozess wollte Intel nur wenig verraten, außer dass er eine Weiterentwicklung der bisherigen Verfahren mit High-k-Metal-Gates darstellt.
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