Höhere Energieeffizienz, größere Zuverlässigkeit
Samsung startet Massenproduktion von V-NAND mit 64 Layern
Bis Jahresende soll die Fertigung von V-NAND-Chips der vierten Generation bereits mehr als die Hälfte des gesamten Outputs bei Samsung ausmachen. Die neuen Speicher sind nicht nur schneller, sondern auch zuverlässiger und weniger stromhungrig.
Bereits im Januar hatte Samsung damit begonnen, die ersten SSDs mit 64-lagigen V-NAND-Chips an ausgewählte Partner auszuliefern, nun geht die Technologie in die Massenfertigung. Ziel des Herstellers ist, dass die neuen Chips bis zum Jahresende bereits mehr als die Hälfte der gesamten Produktionsmenge ausmachen. Sie sollen dann in verschiedenen Consumer- und Enterprise-Produkten zum Einsatz kommen, geplant sind unter anderem neue SSDs, Speicherkarten sowie Embedded-Speicher für Mobilgeräte.
Die neuen Chips speichern weiterhin 3 Bit pro Zelle, allerdings sind nun 64 statt bisher 48 Ebenen mit Zellen übereinander angeordnet. Derzeit werden in der Massenfertigung noch keine größeren Speicherkapazitäten pro Chip erreicht, sodass weiter 256-GBit-Module ausgeliefert werden. Allerdings erreichen diese laut Hersteller mit 1 GBit pro Sekunde deutlich höhere Datenübertragungsraten als die bisherigen Chips. Die sogenannte Page Program Time – die Zeit, die benötigt wird, um Daten in einer bestimmten Zelle zu speichern – soll bei 500 Mikrosekunden liegen, was 1,5 Mal schneller als bei den bisher schnellsten Samsung-Chips mit 48 Layern wäre.
Darüber hinaus werden die neuen Chips nur noch mit 2,5 Volt versorgt und haben damit eine höhere Energieeffizienz als die Vorgängergeneration, die noch auf 3,3 Volt angewiesen war. Auch die Zuverlässigkeit des neuen V-NAND-Speichers liegt laut Samsung etwa 20 Prozent über der der alten Generation.
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