Derzeit produzieren die neuen Galliumarsenid-Nanodraht-Laser infrarotes Licht mit einer fest vorgegebenen Wellenlänge und unter gepulster Anregung. "In Zukunft wollen wir die Emissionswellenlänge sowie weitere Laserparameter gezielt verändern, um die Lichtausbreitung unter kontinuierlicher Anregung im Silizium-Chip und die Temperaturstabilität noch besser steuern zu können", ergänzt Finley. Erste Erfolge hat das Team soeben veröffentlicht.
Und das nächste Ziel steht bereits fest: "Wir wollen eine Schnittstelle zum Strom zu schaffen, damit wir die Nanodrähte elektrisch betreiben können und keine externen Laser mehr benötigen", erläutert Koblmüller. "Die Arbeiten sind eine wichtige Voraussetzung für die Entwicklung hochleistungsfähiger optische Komponenten für zukünftige Computer", resümiert Finley. "Wir konnten zeigen, dass eine Fertigung von Siliziumchips mit integrierten Nanodraht-Lasern möglich ist."
Laut TUM wurde die Forschung gefördert mit Mitteln der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG), durch das TUM Institute for Advanced Study, den Excellenzcluster Nanosystems Initiative Munich (NIM) und die International Graduate School of Science and Engineering (IGSSE) der TUM sowie von IBM über ein Internationales Doktoranden-Programm.