Kioxia Europe bietet nach eigenen Angaben ab sofort Muster seiner neuen Embedded-Flashspeicher im UFS-Format 4.1 (Universal Flash Storage) an. Das Unternehmen will damit vor allem im Bereich Hochleistungsspeicher punkten.
Die neuen Speicher habe man entwickelt, um den Anforderungen mobiler Anwendungen der nächsten Generation gerecht zu werden – etwa moderne Smartphones mit integrierter KI. Sie bieten laut Kioxia mehr Leistung bei gleichzeitig höherer Energieeffizienz in einem kleinen Gehäuse mit BGA-Technik. (Ball Grid Array).
Die UFS-4.1-Geräte von Kioxia verbinden den 3D-Flashspeicher „BiCS FLASH" mit einem Controller in einem Gehäuse nach JEDEC-Standard. Zum Einsatz kommt die achte Generation des BiCS FLASH 3D-Flashspeichers, mit der das Unternehmen die CBA-Technik (CMOS directly Bonded to Array) einführt – eine architektonische Innovation, die laut Kioxia einen entscheidenden Wandel im Design von Flashspeichern darstellt.
Durch die direkte Verbindung der CMOS-Schaltung mit dem Speicher-Array ermögliche die CBA-Technik erhebliche Verbesserungen in den Bereichen Energieeffizienz, Leistung und Speicherdichte. Die UFS-4.1-Speicher seien zudem darauf ausgelegt, die User Experience zu steigern. Durch die Symbiose aus hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch ermöglichen sie schnellere Downloads und eine reibungslose Performance von Apps.
„Unsere neuen Embedded-Flashspeicher der UFS-Version 4.1 stellen einen bemerkenswerten Fortschritt da. Mit ihnen untermauert Kioxia seine Führungsposition im Bereich der Hochleistungsspeicher und sein anhaltendes Engagement, Innovationen im Flashspeicher-Segment voranzutreiben“, betont Axel Störmann, Vice President und Chief Technology Officer für Speicher- und SSD-Produkte bei Kioxia Europe. Die Grenzen der Vorgängermodelle lasse man so eindeutig hinter sich.