Samsung Semiconductor

Kostendruck im Datacenter

21. November 2014, 17:05 Uhr | Timo Scheibe
Beim »3bit- Multi-Level-Cell dreidimensionalen Vertical NAND Flash Memory« sind die 32 Zell-Layer vertikal gestapelt
© Samsung Semiconductor

Big Data heißt mehr benötigter Speicherplatz. Das bedeutet nicht nur höhere Energiekosten, sondern auch mehr Investitionen im Storage. Samsung will mit günstigem Vertical NAND (V-NAND) Flash-Memory Geschwindigkeit in den Speicher bringen und höhere Margen im Channel ermöglichen.

Das Sammeln von immer mehr Daten sorgt für einen größeren Bedarf an Speicherkapazitäten. Von den steigenden Datenmengen profitieren Speicheranbieter, wie Samsung Semiconductor. »Big Data freut uns«, bekräftigt Thomas Arenz, Associate Director bei Samsung Semiconductor, im CRN-Gespräch. Schließlich verlangen mehr Daten nach mehr Speicher und Geschwindigkeit bei der Verarbeitung. Mit den »3bit- Multi-Level-Cell dreidimensionalen Vertical NAND Flash Memory für Halbleiterlaufwerke« will Samsung Semiconductor eine schnelle, günstige und energiesparende Lösung für Enterprise Computing anbieten.

Seit der CeBIT 2014 hat der Hersteller ein erweitertes Flash-Portfolio. »Flash ist im Storage definitiv angekommen«, stellt Arenz fest. Die neuste Flash-Technologie der Südkoreaner ist nun V-NAND, die für den Einsatz von Halbleiterlaufwerken (SSD) eignet. Dadurch erhofft sich der Hersteller einen schnelleren Übergang von herkömmlichen Festplatten auf SSDs.

Pro NAND Memory Chip werden 32 Zell-Layer vertikal gestapelt. So bietet jeder Chip eine Speicherkapazität von 128 Gigabit. Besonders durch die geringe Größe der Chips, lässt sich bis zu 50 Prozent an Energie einsparen, »was sich mit der Zeit massiv auf die Betriebskosten im Rechenzentrum auswirkt«, unterstreicht Arenz. Durch die Massenproduktion der V-NAND-Chips fallen die Anschaffungskosten ebenfalls geringer aus. Gleichzeitig erhöht die neuartige »Hochhaus-Architektur« laut Arenz die Lebensdauer der Chips bis um den Faktor zehn. Beim schreibintensiven Flash ist es dreimal so lange. In Mixed-Umgebungen liegt der Faktor bei fünf bis sieben, so Arenz.

Hier sieht Arenz Möglichkeiten für eine Margenoptimierung im Channel. Aktuell liegt bei den Südkoreanern der Preis für 1 Gbyte bei circa 1,40 Euro (PCIe). Bei SAS sind es 1,20 Euro und bei SATA beläuft sich der Preis pro Gbyte auf 65 bis 70 Cent.

Das Geschäft beschränkt Samsung Semiconductor nicht nur auf seine OEMs. Interessierte Reseller können sich bei Interesse an die Distributoren wie beispielsweise Memorysolution wenden. »Die V-NAND ist für den Channel verfügbar. Teilweise sollte aber eine kürzere Lieferzeit eingeplant werden«, so Arenz. Bis zum Frühling sollen alle Enterprise-Produkte von Samsung Semiconductor über V-NAND verfügen.


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