»Samsung SZ985«
Samsung stellt SSD mit Z-NAND vor
Mit sogenanntem Z-NAND, speziellem Controller und großzügig bemessenem Cache soll die neue Samsung-SSD performancehungrige KI-, IoT- und Big-Data-Anwendungen mit Daten beliefern.
Bereits vor anderthalb Jahren hatte Samsung mit Z-NAND eine neue Generation von Speicherchips angekündigt, die aktuellen V-NAND in punkto Kapazität, Performance und Zuverlässigkeit in den Schatten stellen soll. Auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), die Mitte Februar in San Francisco stattfindet, will der Hersteller nun mit der »SZ985« seine erste mit Z-NAND bestückte SSD vorstellen. Dann wird es wahrscheinlich auch weitere Details zur neuen Technologie geben, die Samsung bisher nur in Grundzügen umrissen hat. So soll die Struktur der neuen Chips im Grunde der von V-NAND gleichen, doch ein neues Schaltkreisdesign und ein spezieller Controller sollen für weitaus bessere Leistungswerte sorgen und die SSDs für HPC-Systeme attraktiv machen, auf denen etwa KI-, IoT- und Big-Data-Anwendungen laufen.
Die neue Z-SSD wird es in zwei Ausführungen geben: mit 800 und mit 240 GByte. Die größere Variante wird stattliche 1,5 GByte LPDDR4-Speicher als Cache mitbringen und soll laut Hersteller bei zufälligen Lesezugriffen 750.000 IOPS liefern – das 1,7-fache von Samsungs NVMe-SSD »PM963«. Die Schreibperformance wird mit 170.000 IOPS angegeben, die Latenz mit 16 Mikrosekunden. Überdies soll die SSD mit hoher Zuverlässigkeit glänzen und über die fünfjährige Garantiezeit bis zu 30 Mal pro Tag vollgeschrieben werden können.
Die SZ985 wird es als PCIe-Steckkarte geben, die über vier Lanes angebunden ist. Wann sie auf den Markt kommen soll, ist noch ebenso wenig bekannt wie der von Samsung anvisierte UVP.
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