Toshiba und Western Digital
Erste Flash-Speicher mit 96 Layern und 4 Bit pro Zelle
Toshiba und Western Digital haben die ersten Prototypen der nächsten Generation ihrer 3D-NAND-Speicher fertiggestellt. Erste Muster sollen noch in diesem Jahr ausgeliefert werden.
Gerade läuft die Produktion von 3D-NAND mit 64 Layern so richtig an, da haben Toshiba und Western Digital bereits die nächste Flash-Generation entwickelt. In den neuen, » BiCS4« getauften Speichern werden 96 Lagen mit Zellen übereinander aufgeschichtet, wodurch größere Kapazitäten auf den Chips untergebracht werden können. Zu Beginn soll die Technologie bei der Fertigung von Chips mit 256 GBit eingesetzt werden, später auch bei Terabit-Chips. Damit sollen dann Flash-Packages mit 1,5 TByte möglich sein.
Spannend ist auch, dass nicht nur klassischer TLC-Flash produziert werden kann, bei dem 3 Bit pro Zelle gespeichert werden, sondern sogenannter QLC-Flash (Quadruple Level Cell) mit 4 Bit pro Zelle. Dadurch lassen sich die Kapazitäten noch einmal erhöhen und größere Speichermengen in kleinen Formfaktoren unterbringen. Allerdings sind derartige SSDs nicht für viele Schreibvorgänge gedacht und werden wohl vor allem bei Backup oder Archivierung zum Einsatz kommen.
Erste BiCS4-Muster wollen Toshiba und Western Digital im Laufe der zweiten Jahreshälfte an OEM-Partner ausliefern, bevor dann 2018 die Produktion anläuft. Bis dahin liegt der Fokus in der Fertigung auf dem 64-lagigen BiCS3, der bald mehr als 75 Prozent des gesamten Flash-Outputs in dem Gemeinschaftsunternehmen ausmachen soll.
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