Nantero: Neue NRAMs gehen in Serienproduktion
Der heilige Gral der Speichertechnik - endlich gefunden?
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
50 Prozent billiger als DRAMs
Das interessante an der Technik ist, dass sie sich in existierende CMOS-Fertigungsprozess ohne Aufwand integrieren lässt. CMOS-Fabs müssen nicht mit neuem Maschinen ausgerüstet werden, um NRAMs fertigen zu können. Die Schreib/Lesezeiten der NRAMs liegen laut Nantero auf dem Niveau von DRAMs, seien also 100 mal schneller als bei NAND-Speichern. Im Standby-Mode nimmt der NRAM keine Leistung auf, die Leistungsaufnahme beim Schreiben liegt pro Bit 160 Mal niedriger als die Leistung, die ein NAND-Speicher benötigt. Den Datenerhalt beziffert Nantero mit über 1.000 Jahren bei 85 °C und mit 10 Jahren bei 300 °C. Außerdem ließen sich die NRAMs kostengünstig fertigen: es können 3D-Multilayer-Strukturen und auch Multi-Level-Cells aufgebaut werden, weil der große Unterschied zwischen den Widerstandswerten im ein- und ausgeschalteten Zustand genügend Spielraum lässt.
Über die vergangenen zwei Jahre ist es Nantero gelungen, die Größe der Kohlenstoff-Nanotubes (CNTs) um den Faktor 10 zu reduzieren und damit die Kosten auf ein wettbewerbsfähiges Niveau zu bringen. Verglichen mit DRAMs lägen sie um 50 Prozent niedriger.
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