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Alles über Ivy Bridge

25. April 2012, 10:21 Uhr |

Intel bringt mit Ivy Bridge bereits die dritte Generation seiner Core-Prozessoren auf den Markt, die erneut deutlich sparsamer und schneller sein soll als die Vorgänger. Wir sagen Ihnen, wo die Vorteile der 22-Nanometer-Kerne liegen und wie viel das im Alltag bringt.

Mit Ivy Bridge bringt Intel die dritte Generation seiner Core-Prozessoren auf den Markt. Sie wird in einem revolutionären 22-Nanometer-Verfahren hergestellt und und bietet vor allem eine deutlich schnellere integrierte Grafik, als ihr Vorgänger Sandy Bridge. Intel bezeichnet sein Entwicklungsmodell bei Prozessoren dabei gern als Tick-Tock-Taktik: Auf eine neue Prozessorarchitektur (Tock) folgt immer ein Die-Shrink, also der Umstieg auf eine neue Fertigungstechnik mit kleineren Transistoren (Tick). Das ist bei Ivy Bridge, also den neuen Core-Prozessoren der dritten Generation, der Fall. Sie werden in einem 22-Nanometer-Prozess gefertigt und bestehen zudem aus Tri-Gate-Transistoren. Bei diesen Tri-Gate-Transistoren werden die Gates über dreidimensionale Finnen aus Siliziumsubstrat gelegt, die Elektronen fließen über alle drei Seiten dieser Finnen statt wie bisher plan durch das Gate (Planar-Transistor). Das erleichtert erst einmal den Bau kleinerer Transistoren, bringt aber auch Vorteile bei Performance und Leistungsaufnahme.

Zudem können auf einem Transistor mehrere Finnen nebeneinander angeordnet werden, um die Performance zu verbessern. Dabei ist es möglich, je nach Anwendungszweck Transistoren mit unterschiedlich vielen Finnen einzusetzen. Zudem sollen die Leckströme bei den 22-Nanometer-Tri-Gate-Transistoren gegenüber den 32-Nanometer-Planar-Transistoren um 50 Prozent reduziert sein, was die Leistungsaufnahme der aus diesen Transistoren aufgebauten Prozessoren drastisch verringert. Tri-Gate erhöht durch höhere Ströme die Schaltgeschwindigkeit bei niedriger Spannung um 37 Prozent gegenüber den bisherigem 32-Nanometer-Transistoren, was gerade bei Low-Volatage-CPUs eine dramatische Leistungsverbesserung bringen soll. Die Herstellungskosten pro Wafer sollen sich durch die Tri-Gate-Transistoren nur um 2 bis 3 Prozent erhöhen. Sandy Bridge wird in einem 32-Nanometer-Verfahren mit herkömmlichen Planar-Transistoren hergestellt.